記者30日從國家發改委了解到,為推動節能降耗,促進電力電子技術和產業的發展,國家發改委等有關部門將對安排補貼資金支持新型電力電子器件>業化。

隨著我國智能電網、高鐵建設、新能源汽車以及節能家電等市場的發展,對5I寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量巨大。

記者了解到,2009年我國IGBT市場為53億元左右,而未來幾年隨著節能減排的推進,IGBT市場規模將年增20%-30%。

但是,由于我國只有少數小功率IGBT的封裝線,還不具備研發、制造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口,IGBT供應主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中,技術上長期受制于人。對此,國家發改委明確表示,2010年將支持金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、IGCT、IGBT、超快恢復二極管（FRD）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產業化。

據悉,國家發改委將組織實施新型電力電子器件產業化專項,鼓勵符合條件的企業申請國家補貼資金支持。

國家補貼資金主要用于項目的研究開發、購置研究開發及工程化所需的儀器設備、改善工藝設備和測試條件、建設產業化或工程化驗證成套裝置和試驗裝置、建設必要的配套基礎設施>購置必要的技術、軟件等。